ウェーハ薄厚化技術
ハイメッシュ砥石によるウェーハ薄厚加工
50μm以下の薄厚加工においては、ゲッタリングサイトを残しながら低ダメージでの加工を行うことが求められます。当社が開発したハイメッシュ砥石は、従来の#2000砥石と同条件で使用できるにもかかわらず、ダメージ層を0.5μm以下に抑えることが可能です。
また、従来のポリッシュヘッドに固定砥粒式のパッドを取り付け、ゲッタリングサイトを創成しつつチップ強度を上げる開発も進めています。
ウェーハの薄厚化が進むに連れて、1軸加工での取り代が増加し、スループットに影響を及ぼすようになってきました。そのため、従来の倍の速度で加工が出来る高能率1軸研削砥石を開発いたしました。この砥石は、1軸加工でのチッピング抑制にも効果があり、外周チッピング量を10μm以下に抑えることが可能です。
外周部チッピング低減策
ウェーハの割れに直結する外周チッピングは、1軸の粗研削加工で発生しています。1軸の砥石や加工条件の最適化で大きなチッピングは低減させることが可能です。また、ウェーハが薄くなることで、ウェーハエッジの断面はナイフエッジとなりさらにチッピングが発生しやすい条件となります。ウェーハエッジを事前にトリミングすることでシャープエッジ化によるチッピングの発生を回避できます。当社のグラインダーは、エッジトリミングを全自動で行います。
エッジ加工せず薄化したウェーハ
(厚み:50μm)
エッジ加工後に薄化したウェーハ
(厚み:50μm)
エッジトリミング前のウェーハ断面図
エッジトリミング後のウェーハ断面図
スキャニングポリッシュによるストレスリリーフ
小径揺動Padによる
スキャニングポリッシュ
当社のストレスリリーフ(CMP)は、小径Padで揺動条件を適正化することで、除去量の不均一性5%以下を達成しました。これにより、最小限の取り代で、ウェーハ面内の研削ダメージを確実に除去することが可能です。また、高番手砥石との組み合わせによる、ストレスリリーフ量の低減やハイレートスラリー、パッドの開発により、プロセスタイムの短縮を実現しました。